3C産品表面(miàn)鏡(jìng)面(miàn)抛光(guāng)一般不(bù)采用(yòng)電(diàn)解(jiě)抛光(guāng)方(fāng)式，而(ér)是(shì)選擇CMP機(jī)械抛光(guāng)工藝。SiO2抛光(guāng)液用(yòng)于3C工件(jiàn)的(de)鏡(jìng)面(miàn)抛光(guāng)工藝，主(zhǔ)要(yào)由(yóu)納米(mǐ)級磨料制備而(ér)成，規格一般在(zài)10nm-150nm抛光(guāng)後(hòu)的(de)産品鏡(jìng)面(miàn)精度(dù)高(gāo)，表面(miàn)收(shōu)光(guāng)细(xì)膩。
氧化(huà)矽精抛液進(jìn)行精抛工藝後(hòu)，工件(jiàn)可(kě)以(yǐ)從霧(wù)面(miàn)提(tí)升(shēng)到(dào)鏡(jìng)面(miàn)透亮(liàng)的(de)效果(guǒ)。抛光(guāng)液配合精抛皮(pí)使用(yòng)，鏡(jìng)面(miàn)效果(guǒ)检測可(kě)达(dá)納米(mǐ)級。3C金(jīn)屬抛光(guāng)液用(yòng)于鏡(jìng)面(miàn)要(yào)求較高(gāo)的(de)工件(jiàn)抛光(guāng)，因(yīn)此(cǐ)必須做好(hǎo)前(qián)道(dào)工序。先(xiān)粗(cū)抛打好(hǎo)基礎，再精抛去(qù)除缺陷和(hé)不(bù)良效果(guǒ)。
有客戶使用(yòng)二(èr)氧化(huà)矽抛光(guāng)液後(hòu)工件(jiàn)表面(miàn)会(huì)産生(shēng)麻(má)點(diǎn)，这(zhè)是(shì)由(yóu)于矽溶胶(jiāo)漿料腐蝕造成的(de)。所(suǒ)以(yǐ)建議大(dà)家(jiā)選擇無腐蝕性的(de)二(èr)氧化(huà)矽漿料，吉致(zhì)電(diàn)子25年(nián)抛光(guāng)液生(shēng)産厂家(jiā)，致(zhì)力于半導體(tǐ)、金(jīn)屬、3C産品、矽晶圆(yuán)、光(guāng)學(xué)晶體(tǐ)CMP抛光(guāng)工藝的(de)研究和(hé)創新，歡迎咨詢更(gèng)多(duō)CMP抛光(guāng)液知識！
