光(guāng)學(xué)電(diàn)子行業新型研磨抛光(guāng)材料

藍(lán)寶(bǎo)石(dàn)材料應(yìng)用(yòng)的(de)加工與(yǔ)生(shēng)産

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抛光(guāng)液在(zài)化(huà)學(xué)機(jī)械抛光(guāng)的(de)應(yìng)用(yòng)

文(wén)章(zhāng)出處(chù):常見(jiàn)問(wèn)題(tí) 責任編輯:深圳市(shì)傑盛达(dá)晶體(tǐ)材料有限公(gōng)司 發(fà)表时間(jiān):2023-08-11
  
  電(diàn)子産品的(de)先(xiān)進(jìn)制造業的(de)快速發(fà)展(zhǎn)方(fāng)向为(wèi)高(gāo)精度(dù)(納米(mǐ)級的(de)控制精度(dù),亞納米(mǐ)級的(de)加工精度(dù))、高(gāo)性能(T級的(de)儲存量(liàng)和(hé)CPU主(zhǔ)頻)、高(gāo)集成度(dù)(納米(mǐ)級的(de)線(xiàn)宽(kuān))以(yǐ)及(jí)可(kě)靠性(小于1/109的(de)千(qiān)小时失效率),因(yīn)此(cǐ),对(duì)加工工件(jiàn)表面(miàn)的(de)局(jú)部(bù)平整度(dù)和(hé)整體(tǐ)平整度(dù)都提(tí)出了(le)前(qián)所(suǒ)未有的(de)高(gāo)要(yào)求(要(yào)求达(dá)到(dào)亞納米(mǐ)量(liàng)級的(de)表面(miàn)粗(cū)糙度(dù)),同(tóng)时对(duì)超精密加工技術(shù)的(de)水(shuǐ)平提(tí)出了(le)嚴峻的(de)挑戰。
  表面(miàn)平整化(huà)加工的(de)重(zhòng)要(yào)手(shǒu)段(duàn)是(shì)抛光(guāng),常見(jiàn)的(de)抛光(guāng)技術(shù)如(rú)機(jī)械抛光(guāng)、化(huà)學(xué)抛光(guāng)、磁研磨抛光(guāng)、流體(tǐ)抛光(guāng)、電(diàn)化(huà)學(xué)抛光(guāng)、離子束轟擊抛光(guāng)、浮法(fǎ)抛光(guāng)等,均屬于局(jú)部(bù)平坦化(huà)技術(shù),且(qiě)平坦化(huà)能力從幾(jǐ)微米(mǐ)到(dào)幾(jǐ)十(shí)微米(mǐ)不(bù)等,但是(shì)國(guó)際上(shàng)普遍(biàn)認为(wèi),加工工件(jiàn)特(tè)征尺(chǐ)寸(cùn)在(zài)0.35μm以(yǐ)下(xià)时,必須進(jìn)行全(quán)局(jú)平坦化(huà),而(ér)目前(qián)唯一可(kě)以(yǐ)提(tí)供整體(tǐ)平面(miàn)化(huà)的(de)表面(miàn)精加工技術(shù)就(jiù)是(shì)超精密化(huà)學(xué)機(jī)械抛光(guāng)技術(shù)(CMP)。
  例如(rú)在(zài)矽晶片(piàn)的(de)加工过(guò)程中(zhōng),晶片(piàn)通(tòng)过(guò)吸附作(zuò)用(yòng)固定(dìng)在(zài)與(yǔ)其(qí)同(tóng)方(fāng)向旋轉(zhuǎn)的(de)抛光(guāng)垫上(shàng),抛光(guāng)漿料通(tòng)过(guò)蠕動(dòng)泵不(bù)斷的(de)流到(dào)抛光(guāng)垫上(shàng),使之(zhī)在(zài)晶片(piàn)和(hé)抛光(guāng)垫之(zhī)間(jiān)持(chí)续流動(dòng),晶片(piàn)表面(miàn)與(yǔ)抛光(guāng)漿料發(fà)生(shēng)反(fǎn)應(yìng),通(tòng)过(guò)抛光(guāng)头(tóu)的(de)高(gāo)速運動(dòng)使反(fǎn)應(yìng)物(wù)不(bù)斷去(qù)除,达(dá)到(dào)使晶片(piàn)表面(miàn)平整、光(guāng)潔度(dù)高(gāo)的(de)作(zuò)用(yòng)。
  化(huà)學(xué)機(jī)械抛光(guāng)技術(shù)是(shì)化(huà)學(xué)作(zuò)用(yòng)和(hé)機(jī)械作(zuò)用(yòng)相結合的(de)技術(shù),實(shí)際上(shàng)其(qí)微觀过(guò)程相當复雜,影響因(yīn)素也(yě)很多(duō)。CMP設備、抛光(guāng)液、抛光(guāng)垫、後(hòu)清(qīng)洗設備、抛光(guāng)終(zhōng)點(diǎn)检測設備等等都对(duì)晶片(piàn)的(de)抛光(guāng)速率和(hé)抛光(guāng)質(zhì)量(liàng)産生(shēng)重(zhòng)要(yào)影響。其(qí)中(zhōng)抛光(guāng)液既影響CMP化(huà)學(xué)作(zuò)用(yòng)过(guò)程,又影響CMP機(jī)械作(zuò)用(yòng)过(guò)程,是(shì)影響CMP質(zhì)量(liàng)的(de)決定(dìng)性因(yīn)素之(zhī)一。
  目前(qián)國(guó)內(nèi)外(wài)常用(yòng)的(de)抛光(guāng)液有SiO2胶(jiāo)體(tǐ)(矽溶胶(jiāo))抛光(guāng)液、二(èr)氧化(huà)铈抛光(guāng)液、氧化(huà)鋁(lǚ)抛光(guāng)液、金(jīn)剛石(dàn)抛光(guāng)液等。

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