本(běn)系(xì)列産品是(shì)引進(jìn)日(rì)本(běn)的(de)FUJIMI公(gōng)司和(hé)美(měi)國(guó)的(de)杜邦（DUPON)公(gōng)司配方(fāng)專利生(shēng)産，适應(yìng)半導體(tǐ)材料如(rú)矽片(piàn)，鍺單晶片(piàn)，砷化(huà)镓晶片(piàn)，硬盤玻璃，藍(lán)寶(bǎo)石(dàn)晶片(piàn)，碳化(huà)矽晶片(piàn)的(de)（CMP)化(huà)學(xué)表面(miàn)抛光(guāng)工藝，具有去(qù)除速率高(gāo)、使用(yòng)方(fāng)便、抛光(guāng)效果(guǒ)好(hǎo)等特(tè)點(diǎn)。抛光(guāng)後(hòu)晶片(piàn)表面(miàn)的(de)粗(cū)造度(dù)可(kě)以(yǐ)达(dá)到(dào)0.2um以(yǐ)下(xià)，同(tóng)时可(kě)以(yǐ)提(tí)高(gāo)晶片(piàn)的(de)粗(cū)造度(dù)和(hé)平行度(dù)等，而(ér)且(qiě)無劃(huà)傷，無抛光(guāng)霧(wù)。本(běn)公(gōng)司在(zài)为(wèi)用(yòng)戶提(tí)供高(gāo)質(zhì)量(liàng)産品的(de)同(tóng)时，又降低(dī)了(le)加工成本(běn)，本(běn)系(xì)列産品是(shì)替代(dài)進(jìn)口(kǒu)産品的(de)較佳選擇。
性狀：本(běn)産品屬乳白(bái)胶(jiāo)體(tǐ)水(shuǐ)溶液，無毒、無臭
特(tè)點(diǎn)
1：去(qù)除速率高(gāo)：降低(dī)抛光(guāng)工藝所(suǒ)需要(yào)的(de)时間(jiān)，提(tí)高(gāo)生(shēng)産效率，循环(huán)使用(yòng)，稀释比例大(dà)。
2：使用(yòng)方(fāng)便：本(běn)抛光(guāng)液使用(yòng)于通(tòng)用(yòng)的(de)抛光(guāng)工藝。
3：抛光(guāng)效果(guǒ)好(hǎo):抛光(guāng)表面(miàn)粗(cū)造度(dù)好(hǎo)，無劃(huà)傷，不(bù)会(huì)出現(xiàn)抛光(guāng)霧(wù)。
使用(yòng)範圍及(jí)參數
本(běn)系(xì)列産品使用(yòng)于直拉、區(qū)熔單晶矽，直徑φ76-150mm的(de)原始(shǐ)矽片(piàn)、摻雜矽片(piàn)的(de)單面(miàn)双(shuāng)面(miàn)的(de)抛光(guāng)：以(yǐ)及(jí)其(qí)它(tā)半導體(tǐ)材料如(rú)藍(lán)寶(bǎo)石(dàn)，鍺片(piàn)，砷化(huà)镓片(piàn)等抛光(guāng)工藝：同(tóng)时還(huán)使用(yòng)于光(guāng)學(xué)晶體(tǐ)材料如(rú)铌酸(suān)锂的(de)抛光(guāng)工藝。
|
項目型号(hào)
|
SiO含量(liàng)
|
PH值
|
平均粒(lì)徑/nm
|
|
T-980F
|
40%
|
10
|
115
|
|
T-980
|
40%
|
10.5
|
80
|
|
T-900
|
38%
|
9.8
|
40-60
|
|
T-925
|
38%
|
2.5-3.5
|
25
|
|
T-920
|
36%
|
10.2
|
20
|
|
T-915
|
30%
|
2.3-3.2
|
15
|
