系(xì)列産品是(shì)引進(jìn)日(rì)本(běn)的(de) FUJIMI公(gōng)司和(hé)美(měi)國(guó)的(de)杜邦(DUPON)公(gōng)司配方(fāng)爸利生(shēng)産，适應(yìng)半導體(tǐ)材料如(rú)矽片(piàn)，鍺單晶片(piàn)，砷化(huà)镓晶片(piàn)，硬盤玻璃，藍(lán)寶(bǎo)石(dàn)晶片(piàn)，碳化(huà)矽晶片(piàn)的(de)(CMP)化(huà)學(xué)表面(miàn)抛光(guāng)工藝，具有去(qù)除速率高(gāo)、使用(yòng)方(fāng)便、抛光(guāng)效果(guǒ)好(hǎo)等特(tè)點(diǎn)。抛光(guāng)後(hòu)晶片(piàn)表面(miàn)的(de)粗(cū)造度(dù)可(kě)以(yǐ)达(dá)到(dào) o.2nm 以(yǐ)下(xià)，同(tóng)时可(kě)以(yǐ)提(tí)高(gāo)晶片(piàn)的(de)粗(cū)造度(dù)和(hé)平行度(dù)等，而(ér)且(qiě)無劃(huà)傷，無抛光(guāng)霧(wù)。本(běn)公(gōng)司在(zài)为(wèi)用(yòng)戶提(tí)供高(gāo)質(zhì)量(liàng)産品的(de)同(tóng)时，又降低(dī)了(le)加工成本(běn)，本(běn)系(xì)列産品是(shì)替代(dài)進(jìn)口(kǒu)産品的(de)最佳選擇。
性狀:本(běn)産品屬乳白(bái)胶(jiāo)體(tǐ)水(shuǐ)溶液無毒、無臭
特(tè)點(diǎn)
1:去(qù)除速率高(gāo):降低(dī)抛光(guāng)工藝所(suǒ)需要(yào)的(de)时間(jiān)，提(tí)高(gāo)生(shēng)産效率，
循环(huán)使用(yòng)，稀释比例大(dà)2:使用(yòng)方(fāng)便:本(běn)抛光(guāng)液使用(yòng)于通(tòng)用(yòng)的(de)抛光(guāng)工藝3:抛光(guāng)效果(guǒ)好(hǎo):抛光(guāng)表面(miàn)粗(cū)造度(dù)好(hǎo)無劃(huà)傷，不(bù)会(huì)出現(xiàn)抛光(guāng)霧(wù)
使用(yòng)範圍及(jí)參數
本(běn)系(xì)列産品使用(yòng)于直拉、區(qū)熔單晶矽，直徑中(zhōng)76-150mm的(de)原始(shǐ)矽片(piàn)、摻雜矽片(piàn)的(de)單面(miàn)双(shuāng)面(miàn)的(de)抛光(guāng):以(yǐ)及(jí)其(qí)它(tā)半導體(tǐ)材料如(rú)藍(lán)寶(bǎo)石(dàn)，鍺片(piàn)，砷化(huà)镓片(piàn)等抛光(guāng)工藝:同(tóng)时還(huán)使用(yòng)于光(guāng)學(xué)晶體(tǐ)材料如(rú)铌酸(suān)锂的(de)抛光(guāng)工藝
| 型号(hào) |
SiO含量(liàng) |
P H 值 |
平均粒(lì)徑/nm |
| T-980 |
40% |
10.5
|
80 |
| T-900 |
38% |
9.8 |
40-60 |
| T-925 |
38% |
2.5-3.5 |
25 |
| T-920 |
36% |
10.2 |
20 |
| T-915 |
30% |
2.3-3.2 |
15 |
